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当制程节点推进到5nm及以下，一颗直径20纳米的颗粒足以覆盖数个晶体管栅极，直接造成开路或短路。按照IRDS（国际器件与系统路线图）的测算，先进逻辑工艺在良率爬坡阶段，缺陷密度需要被压制到0.1个/…
